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  • 型号: BSR302N L6327
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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BSR302N L6327产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Depletion

描述

MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59MOSFET OptiMOS 2 Sm-Signal Transistor 30V 3.7A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3.7 A

Id-连续漏极电流

3.7 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSR302N L6327OptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSR302N_Rev1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a3043156fd573011622e789f21f7c

产品型号

BSR302N L6327

Pd-PowerDissipation

500 mW

Pd-功率耗散

500 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

23 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

23 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

3.2 ns

下降时间

3.2 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 30µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

750pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6.6nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

23 毫欧 @ 3.7A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-SC-59

其它名称

BSR302N L6327CT

典型关闭延迟时间

16.2 ns

功率-最大值

500mW

包装

剪切带 (CT)

商标

Infineon Technologies

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

23 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

3.7 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.7A (Ta)

系列

BSR302

通道模式

Depletion

配置

Single

零件号别名

BSR302NL6327HTSA1 SP000257785

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